高密度电阻率法不同装置比较
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10.3969/j.issn.1673-9957.2011.09.012

高密度电阻率法不同装置比较

引用
本文介绍了高密度电阻率法的一些基本知识,比较了几种常用2D装置在五种模型上的勘测特点及效果.综合分析数值模拟的结果可以得出:温纳装置在垂向变化率上具有较高的分辨率(水平构造),而温纳--斯隆贝尔阵列在横向和纵向结构都有较好的分辨率.偶极一偶极装置对电阻率的横向、垂向变化较敏感,单极-单板装置的分辨率是最低的.

高密度电阻率法、装置、比较

TN374(半导体技术)

2011-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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