10.3969/j.issn.1673-9957.2009.24.012
EDMOS的工艺和电性模拟
EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内,如高压MOS场效应管.EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压,正归功于它们的优越性,这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管.
EDMOS、Tsu4、深亚米半导体制造、工艺和电性模拟TCAD
TN3;TN4
2010-03-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
13-14
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10.3969/j.issn.1673-9957.2009.24.012
EDMOS、Tsu4、深亚米半导体制造、工艺和电性模拟TCAD
TN3;TN4
2010-03-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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