半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

摘要：

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用.本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍.最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升.

关键词：半导体、钨硅薄膜、物理气相沉积、化学气相沉积、应用现状

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.8(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划项目2017YFB0305603

在线出版日期：2020-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：48-55