同位镀锑膜修饰电极方波溶出伏安法同时测定痕量锡、镉

摘要：

目的:建立同位镀锑膜电极测定痕量锡和镉的新方法.方法:在玻碳电极上,采用同位镀锑的方法富集被测离子并形成锑膜,利用方波脉冲伏安法使富集的Sn,Cd重新溶出,根据溶出峰电流,实现对痕量Sn2+、Cd2+的同时测定.在十六烷基三甲基溴化胺(CTAB)存在的条件下,溶出峰形良好.讨论了底液的pH值、CTAB浓度、富集时间、富集电位和不同的扫描速率对金属离子溶出峰的影响.结果:在优化实验条件下,Sn2+和Cd2+的线性范围分别为5μg/L～180 μg/L和10 μg/L-170 μg/L,最低检出限分别为0.46 μg/L和2 μg/L.利用本方法测定了茶叶中Sn2+的含量,结果令人满意.结论:锑膜电极可成为又一种新的环保型膜电极用于重金属离子的测定.

关键词：同位镀锑膜、方波溶出伏安法、锡、镉

所属期刊栏目：21

分类号：O657.14(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金;黑龙江省教育厅科学技术研究项目

在线出版日期：2012-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2133-2135,2138