脑积水第三脑室底造瘘术后发热原因分析及防治策略
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1009-122X.2007.10.012

脑积水第三脑室底造瘘术后发热原因分析及防治策略

引用
目的 分析脑积水内镜第三脑室底造瘘术(ETV)后发热原因并探讨防治策略.方法 回顾性分析2004年1月~2007年1月应用ETV治疗的48例非交通性脑积水病人术后体温变化规律,分析ETV术后出现发热的原因.结果 30例(62.5%)术后体温高于38℃,其中29例为术后吸收热或中枢性发热,体温在1周内恢复正常;1例为颅内感染引起,治疗后痊愈.结论 术前、术中尽可能减少引起术后发热的因素.可减少脑积水ETV术后发热的发生率.

脑积水、第三脑室底造瘘术、发热

12

R742.7;R651.1(神经病学与精神病学)

2007-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

463-464

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

中国微侵袭神经外科杂志

1009-122X

44-1459/R

12

2007,12(10)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn