10.3969/j.issn.1009-122X.2007.10.012
脑积水第三脑室底造瘘术后发热原因分析及防治策略
目的 分析脑积水内镜第三脑室底造瘘术(ETV)后发热原因并探讨防治策略.方法 回顾性分析2004年1月~2007年1月应用ETV治疗的48例非交通性脑积水病人术后体温变化规律,分析ETV术后出现发热的原因.结果 30例(62.5%)术后体温高于38℃,其中29例为术后吸收热或中枢性发热,体温在1周内恢复正常;1例为颅内感染引起,治疗后痊愈.结论 术前、术中尽可能减少引起术后发热的因素.可减少脑积水ETV术后发热的发生率.
脑积水、第三脑室底造瘘术、发热
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R742.7;R651.1(神经病学与精神病学)
2007-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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