10.3969/j.issn.2095-1035.2023.07.013
直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al2O3颗粒中16种杂质元素
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al2O3颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法.当选取3颗2 mm左右大小的α-Al2O3颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×108 cps,Al、Ga的信号比约为1∶270.采用实验方法对α-Al2O3颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内.为了验证Ga对α-Al2O3颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al2O3粉进行测定.对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al2O3粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27Al的信号强度为3.0×109 cps,Al、Ga的信号比约为1∶29.γ-Al2O3粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致.采用Ga作辅助电极测定α-Al2O3颗粒和γ-Al2O3粉的检出限均可达ng/g.
直流辉光放电质谱仪(dc-GDMS)、高纯Ga、高纯α-Al2O3颗粒、杂质元素
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O657.63;TH843(分析化学)
2023-07-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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755-760