电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si

摘要：

采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法对TB9钛合金中微量Si的测定进行了研究.总结了基体对较灵敏Si的8条分析线的光谱干扰,发现从Si 185.067 nm到Si 288.158 nm均有不同基体元素的干扰,对微量Si的测定影响很大.经研究对比,选用背景相对低且信噪比高的Si 288.158 nm线,以试剂加定量V为空白来校正基体V的光谱叠加干扰,标准加入法测定.方法检出限0.04 μg/mL,标准加入校准曲线的线性相关系数0.999 9.样品加标回收率为100％～105％,相对标准偏差(n=8)小于2.0％.方法简便可靠,可获得满意的分析结果.

关键词：TB9钛合金、微量Si、电感耦合等离子体原子发射光谱法

所属期刊栏目：8

分类号：O657.31;TH744.11(分析化学)

在线出版日期：2018-04-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：50-52