10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2023.1.003
BiCuTeO的高压合成与电输运性能研究
四元层状化合物BiCuTeO具有极低的热导率和很好的热电性能,但多数文献报道的结果表明该类材料的制备较为困难,单相化合物不易合成.通过吉布斯自由能计算发现利用CuO替代Bi2O3和单质Cu作为Cu源和O源有利于BiCuTeO的合成,并利用一步高压合成方法快速制备了 BiCuTeO.为了优化BiCuTeO的电输运性能,还分别利用Se和Pb对其Te位和Bi位进行了掺杂研究,结果表明:Se在Te位掺杂能够提高BiCuTeO的载流子有效质量进而提高Seebeck系数,但霍尔迁移率降低和带隙增大导致电阻率升高、功率因子降低;Pb掺杂可以同时提高BiCuTeO的载流子有效质量和载流子浓度,因而有利于提升电输运性能.
高压合成、热电材料、BiCuTeO、功率因子
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TQ174.75+8
广西自然科学基金项目;国家自然科学基金;大学生创新创业项目;大学生创新创业项目
2023-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
21-25