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10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2022.07.008

碳化硅棚板高温条件下氧化破损机制研究

引用
SiC是一种非常重要的窑具材料,SiC棚板在陶瓷制品烧结过程中应用广泛.但是,SiC棚板在高温条件下使用过程中易出现氧化破损现象,因此,研究SiC棚板氧化破损机制对于开发高性能SiC棚板具有重要的理论、经济和社会价值.本文研究了 1500℃高温条件下循环使用下SiC棚板氧化破损过程,采用XRD、SEM等技术分析了棚板表面组成与微观结构,研究了高温循环条件对碳化硅棚板结构组成的影响规律.分析表明:高温循环条件下,氧气扩散至棚板界面处与SiC发生氧化反应,造成SiC棚板表层组织中Si和C元素含量下降,并在SiC棚板表面形成新物相,新物相中含有石英相、方石英等,内部结构受损,碳化硅棚板使用寿命降低.最后,深入探讨了 SiC棚板氧化损伤机制.

碳化硅、棚板、窑具、机制

58

TQ174.75+8.12

山东省科学院青年合作基金;齐鲁工业大学教研项目

2022-08-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

60-63

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中国陶瓷

1001-9642

36-1090/TQ

58

2022,58(7)

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