10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2020.12.004
光固化后用气压烧结Si3N4陶瓷的显微组织和力学性能影响
选用CeO2和Yb2o3两种不同的烧结助剂,用光固化后气压烧结制备了高致密的Si3N4陶瓷材料.在相同的烧结温度下,用CeO2烧结试样中的β-Si3N4的晶粒尺寸比用Yb2O3为烧结助剂制备的试样的晶粒尺寸要大.其中:在1 750 ℃,1 0 MPa条件下制备出了致密度到>95.8%Si3N4基陶瓷,力学性能分别为:σmax=715.83±15.26 MPa、HV=14.16±0.43 MPa、KIC=8.03 MPa· m1/2.
Si3N4陶瓷、光固化、气压烧结、显微组织、力学性能
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TQ174.75+8.12
江西省教育厅科学项目GJJ181102
2020-12-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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