n型氧化亚铜薄膜的制备及其光电化学特性

摘要：

采用三电极系统在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cu2O薄膜,控制电沉积溶液的温度和pH得到n型Cu2O薄膜,并通过光电流(I-t)测试、英特-肖特基(M-s)曲线测试薄膜的光电性能.结果 表明当pH值为8.5～10时,成功地制备出了n型Cu2O薄膜,且当电解液的pH值为8.5,温度为60℃时,n型Cu2O薄膜光电性能最佳.对Cu2O薄膜进行退火处理,有助于改善氧化亚铜薄膜的光电性能.在此基础上,我们对n型Cu20薄膜进行不同离子掺杂.离子的掺杂能继续提高Cu2O薄膜的光电性能.其中当Cl-为40 mM条件下,Cu2O薄膜的光电化学性能最佳.

关键词：n型Cu2O薄膜、光电化学性能、离子掺杂

所属期刊栏目：56

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：对外合作重点项目20161BBH80042

在线出版日期：2020-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：26-31