10.16521/j.cnki.issn.1001-642.2020.03.004
钇掺杂硅酸锆薄膜的制备及其抗氧化性能研究
通过溶胶-凝胶法在SiC基底上制备了钇掺杂硅酸锆薄膜.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析技术分别对样品的物相和形貌进行了表征,并测试了抗氧化性能.实验结果表明,未进行钇掺杂时,硅酸锆薄膜中存在t-ZrO2和m-ZrO2杂质相,1 300℃氧化102 h后SiC基底增重0.03%.相比之下,钇掺杂后硅酸锆薄膜中仅存在t-ZrO2杂质相,当钇掺杂量为2%时,氧化后SiC基底的质量变化仅为0.027%.这是由于钇掺杂防止了ZrO2相转变,提升了薄膜的整体稳定性,但掺杂量大于3%时会影响硅酸锆的合成.
薄膜、溶胶-凝胶法、硅酸锆、掺杂
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TB383(工程材料学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江西省杰出青年人才资助计划;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省教育厅项目;江西省教育厅项目
2020-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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