10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2019.08.011
厚度对钇掺杂氧化铪薄膜性质的影响
通过中频磁控溅射在p型(100)硅基片上沉积了不同厚度的Y掺杂HfO2(Y∶HfO2)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜的Y掺杂浓度及元素结合状态.掠入射×射线衍射(GIXRD)分析表明,3.25 mol.%的Y掺杂HfO2薄膜相结构为立方相.利用X射线反射率(XRR)测量得到了不同溅射时间的薄膜厚度、密度和粗糙度.电性能测试表明,Y掺杂HfO2薄膜基电容器介电常数随膜厚的增大而增大.基于界面层分压原理,详细讨论了SiO2界面层对薄膜介电特性的影响.
HfO2薄膜、厚度、成分、相结构、电性能
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TQ174.76;TB43
国家自然科学基金51672032
2019-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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