10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2019.08.005
碳保护下钼金属表面MoSi2涂层的可控制备及表征
采用活性碳粉为气氛保护介质,以NaF为催化剂,通过改良包埋渗硅工艺在钼金属表面原位反应制备MoSi2抗氧化涂层.利用扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和×射线衍射仪(XRD)系统研究了热处理温度、热处理时间、催化剂含量和钼金属表面不同处理方式对涂层结构的影响,并分析了涂层制备机理.结果 表明:采用碳保护下的改良包埋法在钼金属表面成功制备了MoSi2涂层,涂层结构致密,且与基体之间的结合性良好.随着热处理温度的升高,涂层厚度急剧线性增加,涂层结构致密性明显提高,在1200℃得到的涂层质量最佳;随着热处理时间的延长,涂层厚度不断增加,当超过12.0 min后,涂层的厚度变化趋于平缓;增大钼金属表面粗糙度有利于涂层生长,可增加涂层厚度,但改变NaF用量对涂层结构和厚度的影响较小.
MoSi2涂层、碳粉、包埋渗硅、结构
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TQ174.75+8.12
国防科工局技术基础项目JSHS2014404B002
2019-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
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