溅射功率对ZnO∶Ga薄膜的结构和光电性能的影响

摘要：

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga薄膜,并使用XRD、SEM、UV-VIS和霍尔测试仪等测试手段分析研究了不同功率对ZnO ∶ Ga薄膜的结构以及光学和电学性能的影响.实验结果表明:制备的ZnO ∶ Ga薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的C 轴择优取向;随着溅射功率逐渐从100 W 增加到175 W,玻璃衬底上薄膜的结晶程度越来越高,当溅射功率超过175 W 时,结晶强度减弱;在可见光范围内,薄膜样品的透过率均达到84％ 以上,具有良好的透光性能;同时我们发现实验制得的薄膜导电率随着溅射功率的增加而加强.

关键词：磁控溅射、ZnO∶Ga薄膜、溅射功率、玻璃衬底

所属期刊栏目：54

分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省对外合作项目;江西省主要学科学术带头人项目;江西省重点研发计划项目

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20