10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2018.01.010
双面异质处理氮化铝陶瓷电路基片的制备
为了扩展氮化铝陶瓷电路基片的应用范围,采用冷等静压成型、气氛保护无压烧结在陶瓷表面制备了钨钛合金层,并辅以旋涂-水热合成技术对陶瓷基片另一表面涂覆分子筛薄膜.分别利用SEM,EDS,XRD,维氏硬度计和亲水角摄影仪等设备对鸽钛合金/氮化铝陶瓷/ZSM-5分子筛复合电路基片的显微结构、元素组成、相结构、力学性能及亲水性进行测试.结果表明:试样在1600℃的烧结效果最优,其相对密度、抗弯强度、硬度和断裂韧性均值分别为98.9%、766、30.3和4.2 MPa·m1/2.钨钛合金层中w和Ti具有熔渗扩散现象,W-Ti粉末与陶瓷生坯在烧结过程中的直接接触,导致合金层烧结环境失稳,W颗粒在熔渗反应中略有剩余.相对于氮化铝陶瓷表面,旋涂-水热合成的ZSM-5分子筛薄膜具有良好的连续性和亲水性,亲水角为4.7°,具有良好的防雾抗尘能力.
氮化铝陶瓷、钨钛合金、ZSM-35分子筛、基片、表面
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TQ174.75
吉林省科技发展计划;吉林市科技计划
2018-02-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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