硅酸锆薄膜制备的研究

摘要：

以正硅酸乙酯和氧氯化锆为硅源和锆源,去离子水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在单晶硅表面制备了硅酸锆薄膜.利用pH计、zeta电位仪、SEM、XRD、AFM等测试手段研究了pH值、前驱体浓度对制备硅酸锆薄膜的影响,并研究了其抗四甲基氢氧化铵(TMAH)/异丙醇(IPA)腐蚀性能.结果表明:优化的pH值为0.5,对应溶胶的zeta电位最大,为43.8mV,所制备的薄膜质量最优;zeta电位随pH值的增加而减小,溶胶的稳定性和薄膜的质量也变差.当前驱体浓度小于0.6mol/L时,薄膜表面粗糙;当前驱体浓度大于0.6 mol/L时,薄膜表面出现了裂纹,且样品出现杂相.最优前驱体浓度为0.6mol/L,制得的硅酸锆薄膜可有效保护单晶硅片免受TMAH/IPA的腐蚀.

关键词：硅酸锆、薄膜、溶胶-凝胶法、pH值、前驱体浓度、抗腐蚀性

所属期刊栏目：53

分类号：TB383.2(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江西省优势科技创新团队建设项目;江西省教育厅项目;江西省教育厅项目

在线出版日期：2017-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：54-61