衬底温度调制生长GZO薄膜的性能研究

摘要：

利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO:Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和四探针测试仪对GZO薄膜进行表征.结果表明:不同的衬底温度调制下生长的GZO薄膜都具有明显的c轴择优取向,对于衬底温度调制条件下,在150℃/RT条件下的薄膜结晶最好,且在可见近红外波段(480～1600 nm)平均透过率达到85.4％左右,薄膜最低方阻达到60 Ω/□.

关键词：射频磁控溅射、GZO薄膜、衬底温度调制、光电性能

所属期刊栏目：53

分类号：TQ174.75;O484.1

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;江西省青年科学家项目;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省对外合作项目;江西省对外合作项目;江西省主要学科学术;技术带头人培养计划;江西省高等学校科技落地计划;江西省高等学校科技落地计划;江西省教育厅科技项目;江西省教育厅科技项目;江西省教育厅科技项目;景德镇科学基金项目;景德镇科学基金项目;景德镇科学基金项目;研究生创新专项

在线出版日期：2017-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：20-25