10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2016.10.005
调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响
利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜.实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1Pa,2 Pa/1 Pa.对样品的晶体微结构,电学性质和光学性质进行了分析.经过表征发现:不同溅射气压状态下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的择优取向,呈Zn0的六角纤锌矿晶体结构;第一阶段溅射低气压时候的样品的电阻率较低;可见光透过率随着第一阶段溅射气压的升高不断降低;PL分析时,不同的气压状态下都出现紫外发光峰和蓝色发光峰,随着第一段溅射气压的升高样品本征发光峰和缺陷发光峰都加强.
磁控溅射、ZnO∶Ga薄膜、调制、溅射气压
52
TQ174.75+6;O484.4+1
江西省科技支撑计划;江西省对外合作资助项目;江西省对外合作资助项目;江西省自然基金资助项目;江西省自然基金资助项目;江西省主要学科学术;技术带头人培养计划;江西省高等学校科技落地计划;江西省教育厅科技项目;江西省教育厅科技项目;江西省教育厅科技项目
2016-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
22-25