A位掺杂Bi4Ti3O12薄膜的制备及铁电性能研究

摘要：

采用溶胶一凝胶法制A位掺杂Bi4Ti3O12(BTO)的铁电薄膜Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)、Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)及Bi3.15(La,0.5Nd0.5)0.85Yi3O12(BLNT);XFLD结果表明制备的薄膜具有(11 7)和(001)的混合取向;在10V电压下,BLT、BLNT和BNT薄膜的Pr分别为13.14 μC/cmM2、20.65 μ C/cm2和21.23 μ C/cm2;FE-SEM显示BNT薄膜表面光滑致密.颗粒均匀,薄膜厚度约为300nm.

关键词：溶胶-凝胶、铁电薄膜、极化值

所属期刊栏目：46

分类号：TM22+1(电工材料)

在线出版日期：2011-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：12-14