微波水热法合成Eu3+掺杂GaN材料
采用氧化镓(Ga2O3)为主要原料,以氧化铕(Eu2O3)为掺杂剂,在微波水热条件下合成了亚微米级前驱体.然后经高温氨化合成纤锌矿结构GaN∶Eu3+.X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对样品的结构、形貌及光致发光进行了表征.分析结果得出,GaN:Eu3+纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好.GaN∶Eu3+纳米粉呈长径比约为8∶1的棒状(直径约600nm,长约5μm);光致发光(PL)显示合成产物GaN∶Eu3+发光性能较未掺杂时有较大改善,说明微量稀土掺杂可以提高GaN的发光性能.
稀土掺杂、GaN、微波水热、光致发光
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O472/TN304.2(半导体物理学)
国家自然科学基金50802057
2011-01-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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