10.3969/j.issn.1001-9642.2008.07.015
常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能
采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷,对其显微结构和导电性能进行了分析.研究发现,常压法可获得致密的碳化硅烧结体,具有较低的电阻率,在300~600℃温度范围内表现出明显的负电阻率温度系数.
常压烧结、碳化硅陶瓷、导电性
44
TB3;TQ3
2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
52-53
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10.3969/j.issn.1001-9642.2008.07.015
常压烧结、碳化硅陶瓷、导电性
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TB3;TQ3
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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