10.3969/j.issn.1001-9642.2004.01.009
包裹沉淀法制备Ni/YSZ阳极材料及性能研究
采用共沉淀法在NiO表面均匀地包裹了一层无定形氢氧化锆.在600℃和800℃下煅烧,YSZ包裹层结晶得到20nm左右的立方ZrO2.Ni/YSZ阳极材料主要的微观结构的变化是金属Ni的团聚和粗化.在NiO表面的YSZ层,有效地抑制了Ni的烧结,并防止了Ni的团聚.经过SEM分析,YSZ形成了连续的网络结构,Ni均匀地分布在YSZ网络结构中.
Ni/YSZ金属陶瓷、包裹沉淀法、微观结构、电导率
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TQ174.75
国家高技术研究发展计划863计划2001AA323090
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
38-40,34