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10.3969/j.issn.1001-9642.2004.01.009

包裹沉淀法制备Ni/YSZ阳极材料及性能研究

引用
采用共沉淀法在NiO表面均匀地包裹了一层无定形氢氧化锆.在600℃和800℃下煅烧,YSZ包裹层结晶得到20nm左右的立方ZrO2.Ni/YSZ阳极材料主要的微观结构的变化是金属Ni的团聚和粗化.在NiO表面的YSZ层,有效地抑制了Ni的烧结,并防止了Ni的团聚.经过SEM分析,YSZ形成了连续的网络结构,Ni均匀地分布在YSZ网络结构中.

Ni/YSZ金属陶瓷、包裹沉淀法、微观结构、电导率

40

TQ174.75

国家高技术研究发展计划863计划2001AA323090

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

38-40,34

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中国陶瓷

1001-9642

36-1090/TQ

40

2004,40(1)

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