基于EIT技术颅内电阻抗特性分析

摘要：

电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术.本研究基于EIT技术对二维四层同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数变化对求解区域场内及头皮表面电位分布的影响,得出了有实际意义的结论,为实现颅内EIT逆问题求解和阻抗成像及脑内电特性的深入研究奠定了基础.

关键词：电阻抗断层技术、真实头模型、脑电特性分析

所属期刊栏目：24

分类号：TM152(电工基础理论)

资助基金：中国科学院资助项目30170308;河北省自然科学基金E2004000054

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：705-708