电压门控钠离子通道与药物抗性癫痫

摘要：

@@ 癫痫患者中约三分之一无法以现有抗癫痫药物(anti-epilep-tic drugs,AEDs)有效控制发作,称为药物抗性癫痫(drug-resist-ance epilepsy,DRE).药物抗性癫痫的主要形成机制之一是AEDs的作用靶点发生结构或功能改变,AEDs无法结合预定靶点抑制神经元过度放电,无法控制癫痫发作.电压门控性钠离子通道(voltage-gated sodium channel,VGSC)主要在可兴奋性细胞中表达,其结构和功能异常可引起神经元的膜兴奋性改变,参与癫痫的发病机制.

关键词：电压门控钠离子通道、药物抗性癫痫

所属期刊栏目：34

分类号：R742.1(神经病学与精神病学)

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：446-447