短暂性脑缺血发作患者事件相关电位研究

摘要：

目的研究短暂性脑缺血发作(TIA)患者的事件相关电位(P300)的变化,探讨TIA患者的认知损害及可能的机制.方法对31例TIA患者及正常对照组30例,进行简易精神状态检查法(MMSE)、听觉oddball刺激序列P300检测及神经系统查体.数据采用t检验和Spearman等级相关分析.结果TIA组的MMSE评分较低,与对照组比较有显著性差异(P＜0.05).P3波潜伏期TIA组与对照组比较有显著差异(P＜0.01);椎基底动脉系统TIA比颈内动脉系统TIA的P3波潜伏期延长,有显著性差异(P＜0.05);TIA患者的P3波潜伏期延长与TIA患者的发作次数呈正相关(r＝0.383,P＜0.01),与MMSE评分呈负相关(r＝-0.259,P＜0.05).结论TIA患者存在早期认知功能的损害.

关键词：短暂性脑缺血发作、事件相关电位、认知损害

所属期刊栏目：29

分类号：R743.31(神经病学与精神病学)

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：286-287