精神分裂症患者脑结构异常的MRI研究

摘要：

目的探讨脑结构的改变(尤其是第Ⅲ脑室)特点及其与精神分裂症症状产生及疗效的关系.方法选用我院住院的首发精神分裂症患者,共51例,正常对照组为23例健康志愿者.对入组后的患者于治疗前和治疗后2个月进行PANSS(阳性与阴性症状量表)评定,以PANSS减分率作为疗效指标.磁共振成像扫描采用SiemensMagnetom P8型永磁性磁共振机,磁场强度0.2T.测量包括第Ⅲ脑室横径等在内的17条径线.结果病例组第Ⅲ脑室横径、双侧外侧裂宽度明显增宽,胼胝体厚度明显减少,病例组与对照组之间存在显著差异.PANSS阴性分量表、思维解体因子减分率与左侧海马横径均呈负相关.PANSS其他分量表及因子减分率与MRI各参数均无显著相关.结论精神分裂症患者存在的脑结构异常可能构成了精神分裂症的神经生物学基础.脑结构异常与疗效的关系有待进一步研究.

关键词：精神分裂症、磁共振成像(MRI)、第Ⅲ脑室

所属期刊栏目：28

分类号：R749.3;R445(神经病学与精神病学)

资助基金：江苏省科技厅科研项目BS97040

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：327-329