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一批优秀人才的拼搏奋斗,使我国高性能集成电路产业迅速发展."中国芯"与国外芯片的差距,正在不断缩小. 2015年下半年,在我国高性能集成电路的设计研发、生产制造、封装测试、设备仪器及材料等整条产业链上,传出一个个让人振奋与欣喜的消息: ——6月24日,龙芯中科技术有限公司正式对外推出全新一代"龙芯3B2000"处理器,处理器微结构设计达到国际主流高性能处理器水平; ——7月28日,极大规模集成电路制造装备与成套工艺国家科技重大专项(以下简称"02专项")"40-28nm(纳米)集成电路制造用300毫米硅片"项目在上海临港产业区启动,将打破国外对集成电路关键材料的垄断,基本形成国内完整的半导体产业链; ——8月4日,由清华大学科技成果成功转化的国内首台12英寸化学机械抛光机交付使用,这是集成电路制造工艺关键技术突破,其主要技术指标达到或超过国际最先进水平; ——8月10日,中芯国际宣布采用其28nm工艺制成的高通骁龙410处理器已成功应用于主流智能手机,这是28nm核心芯片实现商业化应用的重要一步,开启了先进手机芯片制造落地中国的新纪元; ——9月,南京理工大学一篇关于物理传感器的论文在微电子学与集成电路领域顶级国际期刊(JSSC)刊出.此成果能大大提高传感器的稳定性(精度),采用该电路的传感器,其性能将达到国际最高水平; ——10月22日,中车永济新时速电机电器有限责任公司发布具有完全自主知识产权的6500V/200A高压大功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,将取代国外同类产品在我国地铁和铁路机车变流器中的"核芯"位置.

2016-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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