10.3969/j.issn.1008-0678.2013.03.001
硬脑膜炎性刺激对三叉神经节小直径神经元电压门控钾电流的影响
目的 通过炎性介质(IM)和降钙素基因相关肽(CGRP)诱发偏头痛反复发作,运用全细胞膜片钳的方法观察大鼠三叉神经节小直径神经元电压门控性钾电流的变化.方法 雄性SD大鼠15只,分为空白组(不做任何干预)、生理盐水组和IM+CGRP组(大鼠硬脑膜上埋置PE-10管,连续7d给予等量生理盐水和IM+CGRP).用Von Frey毛测定大鼠眶周皮肤机械痛阈.在急性分离的三叉神经节小直径神经元上,通过全细胞膜片钳方法记录延迟外向钾电流(IK)和瞬时外向钾电流(IA)的变化.结果 给药7d后,IM+CGRP组大鼠的眶周机械痛阈明显降低,生理盐水组眶周机械痛阈无明显改变.生理盐水组三又神经节神经元膜上总钾电流、IK、IA与空白组比较无明显差异;IM+CGRP组三叉神经节神经元膜上总钾电流、IK、IA与空白组和生理盐水组比较明显减小.结论 IM和CGRP诱发偏头痛反复发作模型大鼠的三叉神经节中急性分离神经元的IK和IA明显降低,提示电压门控性钾通道可能参与了外周机械痛阈的降低.
偏头痛、钾电流、三叉神经节、电压门控炎性介质、降钙素基因相关肽
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R747.2(神经病学与精神病学)
国家自然科学基金面上项目81070896
2013-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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