新型Ⅱ-Ⅵ族材料的晶体生长与缺陷控制

摘要：

以新型红外探测材料Hgl-xZnxTe、Hgl-xMnxTe及外延衬底材料CdTe及Cdl-xZnxTe为代表分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料的应用背景与现状、晶体生长方法,晶体生长过程中的主要理论问题及各种晶体缺陷的形成与控制.围绕Hgl-xZnxTe、Hgl-xMnxTe、CdTe、Cdl-xZnxTe4种材料,重点分析晶体生长技术,偏析、沉淀相、孪晶及位错等晶体缺陷的形成与控制的研究现状及发展趋势.

关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物、晶体生长、偏析、晶体缺陷

所属期刊栏目：14

分类号：O6(化学)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：92-96