红荧烯共混器件中光致发光及光电流的磁效应研究
为了研究红荧烯共混体系中激子的反应过程,本文制备了一系列rubrene与3TPYMB共混的有机光电器件,并测量了不同比例的共混器件在不同温度和外加偏压条件下的光致发光和光电流的磁效应.实验发现,外加零偏压时,共混器件中光致发光磁效应(magneto-photoluminescence,MPL)在不同温度下均为类“W”线型,光电流的磁效应(magneto-photocurrent,MPC)则出现了没有报道过的类“M”线型,且MPC高场效应与低场效应随温度有不同的变化规律;同时,在外加偏压调控光电流为正的情况下,共混器件中的MPC幅值出现了正负转变.分析结果表明,器件中类“W”型曲线是受磁场调控的单重态激子分裂(singlet fission,STT)过程引起的,而类“M”型MPC的低场上升部分是3TPYMB分子中极化子对间的系间窜越(intersystem crossing,ISC)过程的作用,高场下降部分则是由三重态激子-电荷湮灭(triplet-charge annihilation,TQA)过程所引起,MPC幅值的正负转变与外加偏压强度有关.本工作不仅有利于深入认识光电器件中光致发光与光电流的微观机制,而且为进一步优化红荧烯器件的光电性能提供了参考.
红荧烯、光致发光磁效应、光电流磁效应、单重态激子裂变、三重态激子-电荷湮灭
50
TN311+.8;O4;O649
国家自然科学基金;国家重点实验室基金;重庆市教委科学技术研究项目
2020-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共11页
1756-1766
