MOSFET漏/源电阻的半经验模型

摘要：

本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×1015～1×1016 cm-3、沟道长度是45～2000 nm的平面nMOSFET和nLDD-MOSFET的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5％.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、叠栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于MOSFET的特性分析又可以用于电路模拟器.

关键词：MOSFET的漏/源电阻、半经验公式、微元电阻、数值模拟

所属期刊栏目：47

分类号：TN386.1;U463.341;V211.3

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2018-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1730-1740