基于信息论的高容错MRF电路的供电电压分析

摘要：

低功耗技术是当前研究热点,尤其对于手持移动设备,其重要性更为突出.降低电压是降低功耗最直接有效的方式之一,传统CMOS (complementary metal oxide semiconductor)电路在低电压条件下已无法正常工作,而基于能量观点的MRF (Markov random field)电路在超低电压下却拥有BER(bit error rate)超过10-5的良好稳定性,从而引起学术界广泛关注,但是缺少对MRF电路的电路稳定性和其供电电压之间的理论研究.本文基于信息论的观点对MRF电路进行了理论分析与证明,证明出在输出正确概率相同的条件下,MRF电路的供电电压下界低于传统CMOS电路,并且进一步证明出其本质原因.本文的工作可以为后续基于MRF的低功耗高稳定性电路设计提供理论基础.

关键词：信息论、Markov电路、低功耗、供电电压、稳定性

所属期刊栏目：46

分类号：TM73;TN911;TM614

资助基金：国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2016-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：404-416