高光提取效率的倒装GaN基LED的研究
为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO2/SiNx多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO2/SiNx多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO2/SiNx介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO2/SiNx多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射.
氮化镓、发光二极管、SiO2/SiNx、多层介质膜高反镜、等离子体增强、化学气相沉积
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TP3(计算技术、计算机技术)
国家重点基础研究发展规划973计划2006CB604902;北京市人才强教计划05002015200504
2010-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1021-1026
