微重力条件下的InxGa1-xSb晶体生长研究

摘要：

InxGa1-xSb晶体是吸收波长可以在1.7-6.8μm范围内调控的三元半导体晶体,在红外探测、热光伏电池领域具有重要的应用前景,但由于其固液相线相距很远,容易形成成分偏析和结晶缺陷,且重力对流会增加晶体生长界面处物质输送的不均匀性,使得地面环境下难于生长高质量的InxGal-xSb晶体.微重力环境由于抑制了自然对流,为晶体生长提供了良好条件,本文综述了微重力环境对InxGa1-xSb半导体晶体成分偏析和晶体缺陷的影响,并介绍了中国返回式微重力科学卫星实践十号上的InxGa1-xSb三元晶体的空间生长实验成果.

关键词：InxGa1-xSb、微重力、晶体生长

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资助基金：中国科学院空间科学战略性先导科技专项;上海市青年科技英才扬帆项目

在线出版日期：2020-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：50-61