金属基底层上NiO(111)外延薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

摘要：

利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿<111>晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现,NiO(111)薄膜与Pt层满足“立方-立方”晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80℃测试温度范围里的电流-电压曲线均呈现稳定的双极性电阻开关特性.运用Arrhenius作图法以及肖特基热激发隧穿公式拟合薄膜高阻态电流-温度曲线符合线性关系,表明薄膜高阻态漏电流符合肖特基热激发隧穿机制.

关键词：NiO(111)外延薄膜、变温、电阻开关特性、隧穿机制

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资助基金：国家自然科学基金11274257;中央高校基本科研业务费专项资金XDJK2018B034,XDJK2019D034

在线出版日期：2019-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：103-113