石墨烯位错附近应变场的离散晶格方法研究
位错是石墨烯材料中的一种重要结构缺陷.本文通过基于离散晶格方法的virial局部应变研究了石墨烯位错周围应变场.结果表明两种原子级virial局部应变,即无限小应变和有限应变,与位错弹性理论预测结果吻合较好,从而证明了virial应变分析方法的有效性.然而这两种应变存在微小差异,该差异可以用来显示位错芯域的原子结构.近邻环境对这种应变差异存在影响,根源在于不同的近邻环境对位错芯域局部变形的敏感程度不同:与次近邻环境相比,最近邻环境计算范围较小,计算出的应变差异对局部变形更加敏感.最后,提出近邻位移参数——一种显示石墨烯位错的新方法,该参数可以清晰地显示出石墨烯位错的5|7结构,并能够反映出褶皱引起的结构变化.
石墨烯、位错、应变、晶格
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TP3;P49
国家自然科学基金51404126;辽宁省自然科学基金201602360;辽宁省教育厅一般科学研究项目L2014135
2017-06-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
110-118