相变存储器材料研究

摘要：

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相交存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.

关键词：相变存储器、GeSbTe、相变机理、C掺杂

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资助基金：中国科学院战略性先导科技专项编号:XDA09020402、国家重点基础研究发展计划编号:2011CBA00607,2011CBA00602和国家自然科学基金编号:61076121资助项目

在线出版日期：2016-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：119-127