STT-MRAM存储器的研究进展
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该器件的研究与应用.本文首先阐述了MRAM的基本原理与发展历程,着重介绍了写入技术的演变以及磁各向异性的改善.然后总结了近期在3个领域的研究成果:(1)学术界开展了大量研究以探讨制备工艺和器件结构等因素对界面垂直磁各向异性的影响;(2) CoFeB-MgO双界面结构被提出,该结构在不增大写入电流的前提下增强了磁隧道结的热稳定性势垒;(3)新兴的自旋轨道矩写入方式引起了广泛的关注,该技术有望解决传统自旋转移矩所面临的速度瓶颈和势垒击穿风险.最后,本文扼要地介绍了STT-MRAM在芯片设计领域的最新进展.
垂直磁各向异性、自旋转移矩、自旋轨道矩、双界面磁隧道结、磁性随机存储器、低功耗、非易失
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国家自然科学基金编号:61571023,61501013,61471015、国家科技部国际科技合作与交流项目项目编号:2015DFE12880、中国博士后科学基金编号:2015M570024和北京市科委项目编号:D15110300320000资助
2016-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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