柔性环境应变对InGaAsP量子阱材料增益的影响

摘要：

本文采用k·p方法,从能带结构出发,研究了柔性环境应变对于InGaAsP量子阱增益的影响.计算出在不同注入载流子浓度情况下,垂直(z)方向和水平(x)方向应变对于不同组分InGaAsP量子阱TE,TM模增益谱的影响,发现z方向压应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生蓝移,并提高TM模的增益峰的数值;x方向压应变使TE增益峰位置发生红移、TM模增益峰位置发生蓝移,并降低TM模增益峰的数值.而z方向张应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生红移,并降低TM模的增益峰的数值;x方向张应变使TE增益峰位置发生蓝移、TM模增益峰位置发生红移,并提高TM模增益峰的数值.进一步得出为保持InGaAsP量子阱材料增益的波动变化量不超过30％、增益峰位置移动量不超过20 nm,柔性环境对其施加的应变应控制在3‰以内.

关键词：应变、InGaAsP量子阱、增益谱

所属期刊栏目：46

资助基金：国家重点基础研究发展计划编号:2015CB351900、国家高技术研究发展计划编号:2015AA017101、国家自然科学基金批准号:61574082,51561165012,61176015,61176059,61210014,61321004,61307024和清华大学自主科研计划编号:20131089364资助项目

在线出版日期：2016-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：86-91