硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管
经过近十年的探索,作者在国际上率先突破了硅衬底高光效GaN基蓝光LED材料生长技术及其薄膜型芯片制造技术,制备了内量子效率和取光效率均高达80％的单面出光垂直结构GaN基蓝光LED,并实现了产业化和商品化,成功地应用于路灯、球炮灯、矿灯、筒灯、手电和显示显像等领域,本文就相关关键技术进行全面系统地介绍.发明了选区生长、无掩模微侧向外延等技术,仅用100 nm厚的单一高温AlN作缓冲层,制备了无裂纹、厚度大于3μm的器件级GaN基LED薄膜材料,位错密度为5×108 cm-2.发明了自成体系的适合硅衬底GaN基薄膜型LED芯片制造的工艺技术,包括高反射率低接触电阻p型欧姆接触电极、高稳定性低接触电阻n型欧姆接触电极、表面粗化、互补电极、GaN薄膜应力释放等技术,获得了高光效、高可靠性的硅基LED,蓝光LED(450 nm)在350 mA(35 A/cm2)下,光输出功率达657 mW,外量子效率为68.1％.
硅衬底、高光效、氮化镓、发光二极管
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国家高技术研究发展计划编号:2011AA03A101,2009AA03A199,2005AA311010,2003AA302160、国家自然科学基金批准号:61334001,61040060,51072076,11364034,21405076、国家科技支撑计划编号:2011BAE32B01和电子发展基金资助
2015-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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