全In组分可调InGaN的分子束外延生长

摘要：

Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 eV (GaN)到0.64eV(InN)连续可调,波长范围覆盖了0.3-1.9 μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料.由于缺少合适的衬底,InN和InxGa1-xN薄膜通常生长在蓝宝石或GaN模板上.本论文综述了采用MBE方法,在蓝宝石衬底和GaN模板上生长了InN和全组分InxGa1-xN薄膜的生长行为和材料物理性质.利用MBE边界温度控制法在蓝宝石衬底上生长高室温电子迁移率的InN薄膜,利用温度控制外延法在GaN/蓝宝石模板上制备了全组分InxGa1-xN薄膜.

关键词：InN、InxGa1-xN、分子束外延

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资助基金：国家高技术研究发展计划编号:2011AA050514和国家自然科学基金批准号:61225019,61376060,61411130214资助项目

在线出版日期：2015-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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