HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx纳米堆栈结构的电阻开关特性

摘要：

本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOflx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1 V读取电压下可获得高达90的高/低电阻态阻值比,该比值可稳定维持近50个循环周期,远优于相同条件下制备的γ-Fe2O3纳米微粒薄膜.线性拟合电流-电压对数曲线结果表明,低电阻态时,样品漏电流特性满足欧姆隧穿机制;高电阻态时,低电场下的漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主,高电场下为串联内置电阻的欧姆隧穿电流;该堆栈结构的电阻开关特性是“体导电细丝通道”和“电场作用下界面势垒改变”共同作用的结果.

关键词：γ-Fe2O3纳米微粒、HfAlOx薄膜、电阻开关特性

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资助基金：国家自然科学基金批准号:11274257、重庆市自然科学基金编号:cstc2014jcyjA40029、中央高校基本科研业务费专项资金编号:XDJK2014B043和西南大学本科生科技创新基金编号:1318003资助项目

在线出版日期：2015-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：75-82