不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性

摘要：

本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1 eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.

关键词：GaNAs/InGaAs超晶格、分子束外延、周期厚度、太阳电池、快速退火

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资助基金：国家自然科学基金批准号:61274134和苏州市国际合作项目编号:SH201215资助

在线出版日期：2015-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：69-74