高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算

摘要：

随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.

关键词：高能中子、单粒子翻转、PHITS程序、SRAM单元

所属期刊栏目：44

资助基金：国家自然科学基金资助项目11075203,91026009,11174358

在线出版日期：2014-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：479-485