ASHg与VHg在碲镉汞中掺杂行为第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对碲镉汞材料中两种点缺陷Hg空位(VHg),As代Hg位(AsHg)及其复合缺陷(AsHg-VHg,AsHg-2VHg)进行了系统的研究,获得缺陷形成能随费米能级的变化,结合结构与电子特性分析讨论了这些缺陷在As掺杂HgCdTe中的自补偿效应和p型激活途径.

关键词：碲镉汞、缺陷、第一性原理

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资助基金：国家重点基础研究发展计划2013CB632705;国家自然科学基金10990104,61290301,11334008,61006091,61376102;上海市自然科学基金13JC1408800

在线出版日期：2014-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：350-359