基于纳米MOSFET噪声的背散射系数研究
传统噪声理论提取背散射系数时,引入的参量较多并依赖量子力学计算,或是采取大量的假设而使得到的结论存在偏差.本文将基于Navid模型推导MOSFET噪声的背散射系数,进一步得到了短沟道器件在线性区和饱和区的背散射系数,并给出测量背散射系数的方法.在此基础上,对背散射系数随沟道长度、偏置电压和温度的变化特性进行分析,除此之外,用实验和Monte Carlo模拟验证了背散射系数与偏置电压特性,该方法得到的背散射系数与各参量的变化特性与文献给出的结果相吻合.
纳米MOSFET、背散射系数、散粒噪声
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陕西省教育厅2013年科学研究计划自然科学专项2013K1115,12JK0971;国家自然科学基金61106062;中央高校基本科研业务费专项资金K50511050007;安康学院高层次人才科研专项经费科研项目AYQDZR201206
2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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185-193
