圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响

摘要：

通过金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在2.5 μm×1.6 μm×0.5 μm圆锥形图形化蓝宝石衬底(CPSS)和没有图形化平面蓝宝石衬底(USS)上生长GaN外延膜.高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测试结果表明,生长在CPSS上GaN的刃位错的密度比生长在USS上GaN的刃位错密度低得多;从透射电子显微镜(TEM)观察,CPSS可有效地减小GaN外延膜中的线位错密度;拉曼散射谱显示通过CPSS可有效地减小GaN外延膜中的残余应力;比较两种外延膜中的光致发光谱(PL),能从生长在CPSS上GaN外延膜中观察到强而尖的带边发射.以上结果表明:生长在CPSS上GaN外延膜的质量高于生长在USS上GaN外延膜的质量.

关键词：圆锥形图形化蓝宝石衬底、氮化镓、线位错、应力应变

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资助基金：湖南省教育厅科研基金10C1235;湖南省自然科学基金13JJ3121

在线出版日期：2014-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1519-1524