过渡金属氧化物自旋和电荷相关信息存储

摘要：

信息技术的快速发展在某种程度上要求有高速度和大容量的非易失存储器.然而,随着晶体管尺度达到其量子极限,传统硅半导体器件的继续集成化发展遇到了瓶颈.因此,人们提出了一系列有潜力成为下一代更具功能性的存储器原型器件,并引起了广泛而持续的研究热潮.本文介绍3种基于新材料和新结构的新型存储原型器件:阻变开关器件、有机自旋阀和多铁隧道结.我们发现通过改变界面态,可将阻变式开关器件的反应速度提高数个量级,达到5 ns;在实验上确认了超精细相互作用对自旋阀效应的影响；利用多铁隧道结实现了室温下的四重阻态存储.基于自旋、电荷相关信息存储的原理和实验结果,我们对这3种过渡金属氧化物器件目前还存在的问题及未来的应用前景进行了分析和讨论.

关键词：阻变存储器件原型、自旋阀、多铁性、隧道结

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资助基金：国家自然科学基金50832007,51021091,11179008;国家重点基础研究发展计划2012CB922003,2009CB929502

在线出版日期：2013-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1185-1195