BaTaO2N局域电子结构及光学性质的第一原理计算
采用基于密度泛函理论的第一原理方法计算了BaTaO2N的局域能带结构、态密度和光学性质能带结构结果表明,BaTaO2N属于直接带隙半导体,其能带宽度Eg=0.62eV;价带主要由O 2p,N 2p和Ta 5d态电子构成,且N 2p态位于价带顶;导带主要由Ta 5d态电子构成.基于能带结构和态密度分析了BaTaO2N的介电函数以及折射率、光电导率、吸收谱和能量损失函数等光学性质.静态介电常数ε1(0)=6.13,折射率n0=2.48,在紫外区有较大的吸收系数.
BaTaO2N、第一性原理、电子结构、光学性质
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国家自然科学基金资助项目51074129
2013-01-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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